1、 采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。

2、 当层厚递变时,光子带隙均向长波方向移动.

3、在带隙附近存在四个表面态带，其中的两个占有表面态带已由价带的同步辐射光电子能谱实验得到证实。

4、最终，靠采用完全带隙声子晶体衬底，我们获得了只有单个辐射支的定向辐射，它的半强角宽大约为5.2度。

5、采用二阶温度补偿和电流反馈技术，设计实现了一种基于衬底驱动技术和电阻分压技术的超低压CMOS带隙基准电压源。

6、结果表明声子带隙将出现在两个完全分离的共振态之间.

7、低溅射功率下，与键角畸变有关的结构无序是导致光学带隙变窄的主要因素。

8、 然而，与半导体硅不同，石墨烯的价带和导带之间没有带隙。

9、当层厚递变时,光子带隙均向长波方向移动.

10、使用斩波技术，减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差，提高了基准源的精度。

11、 最终，靠采用完全带隙声子晶体衬底，我们获得了只有单个辐射支的定向辐射，它的半强角宽大约为5.2度。

12、 异质结构引进的带隙差可以实现高注入比、进一步降低了阈值电流，同时提高了输出功率。